制造商: TT Electronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-39-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 6.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V， + 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 25 W
通道模式: Enhancement
商标: Semelab / TT Electronics
配置: Single
下降时间: 70 ns
高度: 4.57 mm
长度: 9.4 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 70 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
宽度: 9.4 mm
单位重量: 1.109 g
