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ZXMC10A816N8TC

发布时间2022-6-20 8:57:00关键词:ZXMC10A816N8TC
摘要

原装代理

制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

晶体管极性: N-Channel, P-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 2.1 A, 2.2 A

Rds On-漏源导通电阻: 230 mOhms, 235 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V, 2 V

Qg-栅极电荷: 9.2 nC, 16.5 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.8 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Diodes Incorporated

配置: Dual

下降时间: 5 ns, 12 ns

正向跨导 - 最小值: 4.8 S, 4.7 S

高度: 1.5 mm

长度: 4.95 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 2.1 ns, 5.2 ns

系列: ZXMC10A8

2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 12.1 ns, 20 ns

典型接通延迟时间: 2.9 ns, 4.3 ns

宽度: 3.95 mm

单位重量: 750 mg

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