制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 17 A
Rds On-漏源导通电阻: 110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 10 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 38 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 29 ns
正向跨导 - 最小值: 8.3 S
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 74 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: HEXFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 7.1 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: SP001550522
单位重量: 330 mg
