类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel? 得捷定制卷带
Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 200μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
113 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4748 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
U-DFN2523-6
封装/外壳
6-PowerUDFN
基本产品编号
DMP2018
