制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-264-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 52 A
Rds On-漏源导通电阻: 115 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 735 W
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 8.5 ns
高度: 26.16 mm
长度: 19.96 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 13 ns
系列: IXFK52N60
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子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 56 ns
典型接通延迟时间: 23 ns
宽度: 5.13 mm
单位重量: 10 g
