制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN2020-8S
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 17.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 45 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 18 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P - Channel
典型关闭延迟时间: 83 ns
典型接通延迟时间: 9.5 ns
