制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-204AA-2
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
商标名: StrongIRFET
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 130 ns
高度: 7.74 mm
长度: 39.37 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 190 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 170 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
宽度: 25.53 mm
单位重量: 6.500 g
