制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 600 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 20 mW
封装 / 箱体: 152 mm x 62.5 mm x 20.8 mm
最小工作温度: -
最大工作温度: + 150 C
商标: Infineon Technologies
安装风格: PCB Mount
产品类型: IGBT Modules
子类别: IGBTs
技术: Si
