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IKW75N65ES5

发布时间2022-12-16 9:26:00关键词:IKW75N65ES5
摘要

进口代理

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

技术: Si

封装 / 箱体: TO-247-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V

集电极—射极饱和电压: 1.42 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 80 A

Pd-功率耗散: 395 W

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 175 C

系列: TRENCHSTOP 5 S5

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

栅极—射极漏泄电流: 100 nA

高度: 20.7 mm

长度: 15.87 mm

工作温度范围: - 40 C to + 175 C

产品类型: IGBT Transistors

240

子类别: IGBTs

商标名: TRENCHSTOP

宽度: 5.31 mm

单位重量: 6.100 g

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