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IMW120R007M1HXKSA1

发布时间2023-1-5 9:12:00关键词: IMW120R007M1HXKSA1
摘要

进口代理

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

发货限制:

Mouser目前不销售该产品。

RoHS: 详细信息

技术: SiC

安装风格: Through Hole

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV

Id-连续漏极电流: 225 A

Rds On-漏源导通电阻: 9.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 5 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 5.2 V

Qg-栅极电荷: 220 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 750 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

产品: MOSFET

产品类型: MOSFET

240

子类别: MOSFETs

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    刘春兰

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