制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 36 A
Rds On-漏源导通电阻: 78 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 7 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5.7 V
Qg-栅极电荷: 31 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolSiC
系列: IMZ120R060
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 10.8 ns
正向跨导 - 最小值: 7 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
240
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 12.7 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
单位重量: 6 g
