制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 400 V
Id-连续漏极电流: 120 mA
Rds On-漏源导通电阻: 25 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: -
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1 W
通道模式: Depletion
封装: Bulk
商标: Microchip Technology
配置: Single
下降时间: 20 ns
高度: 5.33 mm
长度: 5.21 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: FET
宽度: 4.19 mm
单位重量: 453.600 mg
