制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-5
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 9.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 19 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 21 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
下降时间: 4 ns
高度: 16.15 mm
长度: 10.65 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 8.4 ns
宽度: 4.85 mm
单位重量: 2 g
