NTD2955T4G是一款N沟道增强型功率MOSFET，以下是对该产品的一般说明：
1. MOSFET类型：NTD2955T4G是一种N沟道增强型功率MOSFET，它具有低导通电阻和高开关速度，适用于高功率应用。
2. 封装和引脚：NTD2955T4G采用TO-252（DPAK）封装，具有3个引脚，方便在电路板上进行安装和连接。
3. 最大额定电压和电流：该MOSFET的最大额定电压为60V，最大额定电流为12A，能够应对一定的功率需求。
4. 低导通电阻：NTD2955T4G具有低导通电阻，能够降低功率损耗和热量产生，提高效率和可靠性。
5. 高开关速度：该MOSFET具有快速的开关速度，适用于需要高频率开关的应用。
6. 应用领域：NTD2955T4G常用于电源管理、电机驱动、照明控制、电池充放电等功率控制和开关应用。
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-4
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 15 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 55 W
通道模式: Enhancement
系列: NTD2955
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 48 ns
正向跨导 - 最小值: 8 S
高度: 2.38 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 45 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 340 mg
