IPG20N04S4-08是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品。以下是对IPG20N04S4-08的产品说明：
1. 功能特点：IPG20N04S4-08具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频率和高效率的功率应用。它能够提供较低的导通损耗和较小的开关损耗。
2. 电气参数：IPG20N04S4-08的额定电压为40V，额定电流为20A，导通电阻为0.008Ω（最大值），开关时间为17ns（最大值）。
3. 封装类型：IPG20N04S4-08采用TO-220封装，方便在电路板上进行安装和布局。
4. 应用范围：IPG20N04S4-08适用于各种功率应用，如电源管理、电机驱动、逆变器、变频器、照明和电源开关等。
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 36 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 65 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS-T2
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
产品类型: MOSFET
5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 5.15 mm
单位重量: 200 mg
