RJH65T14DPQ是一款IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）晶体管。以下是对RJH65T14DPQ的一般说明：
1. 功能特点：RJH65T14DPQ具有高电压和高电流承受能力，适用于高功率应用。IGBT晶体管结合了MOSFET和双极型晶体管的优点，具有低导通电阻和高开关速度。
2. 电气参数：RJH65T14DPQ的额定电压为1400V，额定电流为65A，导通电阻为0.1Ω（最大值），开关时间为100ns（最大值）。
3. 封装类型：RJH65T14DPQ采用TO-247封装，方便在电路板上进行安装和布局。
4. 应用范围：RJH65T14DPQ适用于各种高功率应用，如电力电子、电机驱动、逆变器、变频器和电源等。
制造商: Renesas Electronics
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247A-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.45 V
栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
Pd-功率耗散: 250 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
商标: Renesas Electronics
集电极最大连续电流 Ic: 100 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 1 uA
高度: mm
长度: mm
产品类型: IGBT Transistors
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子类别: IGBTs
宽度: mm
单位重量: 6 g
