STB17N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET。以下是STB17N80K5的主要特性和产品说明：
1. 功率特性：STB17N80K5具有额定电压为800V和额定电流为17A的功率特性，适用于高功率应用。
2. 低导通电阻：STB17N80K5的导通电阻（RDS(on)）较低，有助于减小功率损耗和提高效率。
3. 高温性能：STB17N80K5具有优异的高温性能，可在高温环境下稳定工作。
4. 快速开关速度：STB17N80K5具有快速的开关速度，有助于减小开关损耗和提高开关效率。
5. TO-220封装：STB17N80K5采用TO-220封装，易于安装和散热。
6. 应用领域：STB17N80K5广泛应用于电源供应、电机驱动、照明、电动工具等领域，用于实现高效率和可靠性的功率控制。
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 14 A
Rds On-漏源导通电阻: 340 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 26 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 170 W
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
系列: STB17N80K5
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: STMicroelectronics
配置: Single
产品类型: MOSFET
1000
子类别: MOSFETs
单位重量: 4 g
