制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 133 V
工作频率: 1.8 MHz to 2 GHz
增益: 26 dB
输出功率: 100 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Flange Mount
封装 / 箱体: NI-780-4
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: NXP Semiconductors
配置: Single
通道数量: 2 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: MRFE6VP100H
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子类别: MOSFETs
晶体管类型: LDMOS FET
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.6 V
单位重量: 6.396 g
