制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.9 V
Qg-栅极电荷: 89 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 140 W
通道模式: Enhancement
商标名: StrongIRFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 34 ns
正向跨导 - 最小值: 280 S
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFETs
上升时间: 39 ns
工厂包装数量：2000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: HEXFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 51 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 330 mg
