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STD13N60M2

发布时间2024-11-7 9:08:00关键词:STD13N60M2
摘要

进口代理

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS:

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 11 A

Rds On-漏源导通电阻: 380 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 17 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 110 W

通道模式: Enhancement

商标名: MDmesh

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: STMicroelectronics

配置: Single

下降时间: 9.5 ns

产品类型: MOSFETs

上升时间: 10 ns

系列: STD13N60M2

工厂包装数量:2500

子类别: Transistors

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 41 ns

典型接通延迟时间: 11 ns

单位重量: 330 mg

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