制造商: STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流: 80 A
Pd-功率耗散: 375 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: STGWA60H65DFB
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
集电极连续电流: 80 A
集电极最大连续电流 Ic: 80 A
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
高度: 5.15 mm
长度: 20.15 mm
工作温度范围: - 55 C to + 175 C
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量 :600
子类别: IGBTs
宽度: 15.75 mm
单位重量: 38 g
