制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 950 V
Id-连续漏极电流: 74.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 315 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 446 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 7.1 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 25 ns
工厂包装数量：240
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 248 ns
典型接通延迟时间: 48 ns
